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Cypress Semiconductor MoBL 超可靠异步sram的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-01-20

摘要: Cypress MoBL 超可靠异步sram的性能可服务于各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用。这些sram可用片上ECC。这些设备与老一代的异步sram是形状-功能兼容的。这允许用户提高系统可靠性,而无需投资于PCB重新...


    Cypress MoBL 超可靠异步sram的性能可服务于各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用。这些sram可用片上ECC。这些设备与老一代的异步sram是形状-功能兼容的。这允许用户提高系统可靠性,而无需投资于PCB重新设计。这是第一批将快速异步SRAM的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式(PowerSnooze )结合在一起的设备。这些Cypress快速SRAM消除了异步SRAM应用中性能和功耗之间的权衡。现有系列产品的最佳功能是通过一种名为PowerSnooze的新型超低功耗睡眠模式实现的。PowerSnooze是标准异步SRAM操作模式(主、备用和数据保留)的附加操作模式。深睡眠针(ds#)允许在高性能有源模式和超低功耗powersleep模式之间切换设备。在4兆设备上,深度休眠电流低至15μA,快速SRAM与PowerSnooze在单个设备中结合了快速和微功耗SRAM的最佳特性。


    最新一代的异步SRAM设备使用(38,32)汉明码ECC进行单比特错误检测和校正。这些超可靠的异步sram中的硬件ECC块执行所有ECC相关的功能,无需用户干预。更高能量的地外辐射可以翻转多个相邻位元,导致多个位元错误。该纠错码的单位错误检测和纠错能力由位交错方案加以补充,以防止多位错误的发生。综合起来,这些特性显著提高了软错误率(SER)性能,使得匹配率低于0.1 FIT/Mbit,处于行业领先水平。


    特性

    • 软件出错率<0.1FIT/Mbit高可靠性

    • ERR引脚,指示单位错误

    • 4Mbit, 8Mbit, 16Mbit密度选项

    • 10ns快速访问时间

    • 8.7μA (4Mbit MoBL )超低待机电流

    • x8、x16和x32总线宽度配置

    • 1.8V ~ 5.0V宽工作电压范围

    • 工业和汽车温度等级


    应用程序

    • 工业自动化,控制

    • 多功能外围设备(MFP)

    • 汽车信息娱乐

    • 汽车ADAS


    方框图



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