瑞萨电子高性能串行MRAM是一种非易失性磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，具有高达108MHz的读写速度。MRAM技术类似于闪存技术，具有与SRAM兼容的读写计时(持久性SRAM, P-SRAM)。数据始终是非易失的，写周期为1016，在+85°C下保存时间大于20年。MRAM是一种真正的随机存取存储器;允许读和写都在内存中随机发生。MRAM是必须存储和检索数据而不会引起大延迟的应用程序的理想选择。它提供低延迟、低功耗、无限耐力和可扩展的非易失性内存技术。

特性

• 接口

• 串行外设接口QSPI (4-4-4)

• 单数据速率模式:108MHz

• 双数据速率模式:54MHz

• 技术

• 40 nm pMTJ STT-MRAM

• 数据续航:10(16)写周期

• 数据保存期:+85°C条件下20年

• 密度

• 4 mb, 8 mb, 16 mb

• 工作电压范围

• VCC: 1.71V至2.0V

• VCC: 2.7V至3.6V

• 工作温度范围

• 工业:-40°C到+85°C

• 工业+:-40°C到+105°C

• 包

• 8-pad DFN (WSON) (5.0mm x 6.0mm)

• 8针SOIC (5.2mm x 5.2mm)

• 数据保护

• 基于硬件的:写保护Pin (WP#)

• 基于软件:地址范围可选择通过配置位(顶部/底部，块保护[2:0])

• 识别

• 64位的惟一ID

• 64位用户可编程序列号

• 增强存储阵列

• 256字节用户可编程与写保护

• 支持电平复位

• 通过无铅认证

应用程序

• 非常适合那些必须存储和检索数据而不会引起大延迟的应用程序

• 工厂自动化

• 多功能打印机

• 工业控制与监控

• 医学诊断

• 数据交换机和路由器

文档

• 数据表

• 家庭的概述

应用笔记

• 编程非易失性寄存器到回流后的出厂默认状态

框图