Mikroe Mikroe -3641 ReRAM Click Board具有MB85AS4MT电阻式RAM模块，包含由4mbits数据组成的单元阵列。这款MB85AS4MT的ReRAM内存模块可以承受大量的写周期，它可以读取和写入随机地址没有延迟。该点击板提供块写保护，低功耗，和快速SPI接口，理论上可以工作到5MHz。MIKROE-3641既可以用作非易失性存储介质，也可以用作在任何嵌入式应用程序中存储变量的临时RAM扩展。这个点击板由一个兼容mikroSDK的库支持，可以在配备了mikroBUS插座的系统上方便地使用。MIKROE-3641可以以总线速度写入数据，具有1.2 x 106读/写周期的极高耐力，数据保留周期为10年，并且具有非常快的SPI接口。这个点击板非常适合用于可穿戴设备和物联网设备。

特性

• ReRAM内存模块

• 块写保护

• 低功耗

• 高续航1.2 x 106读写周期

• RAM和EEPROM的优点

规格

• MB85AS4MT内存模块

• 3.3 v的输入电压

• SPI接口

• 1.65V ~ 3.6V工作电压范围

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

• 5MHz SCK时钟频率

• 1.2×10(6)数据耐久周期

ReRAM电路板概览