GaN Systems 1.2kW GaN eHEMT无桥式图腾柱PFC Eval Kit (GS1200BTP-EVB)是一款无风扇设计解决方案，可满足数据中心和计算应用的80 PLUS钛标准。具有功率密度高、启动可靠、效率高、散热少、THD低、EMI低等优点。该拓扑是双向的，易于缩放(~10kW)。该设计可作为电动汽车车载充电器和工业电源应用的交直流变换器前端。

无桥式图腾柱PFC采用SolantroSA4041 32位50MHz数字电源处理器。SA4041集成了高速模拟外设、硬件加速器和带有50MHz微处理器的事件驱动定时引擎。该设计实现了自适应死区控制和硬开关和软开关操作(ZVS)之间的自动转换的迟滞电流控制，以提供最大效率的GaN ehemt在广泛的工作范围。SA4041集成硬件加速器和事件定时引擎允许在硬件中实现当前控制回路，并允许CPU资源用于低频大容量电压控制、内务管理和通信功能。在这个参考设计中，Solantro的SA4041使用了不到50%的可用中断带宽，包括所有控制、家庭和保护功能。

该设计中包含的GaN系统GS66508B 650V eHEMTs(增强模式高电子迁移率晶体管)具有专利Island Technology电池布局，以减少器件尺寸和成本，同时提供比其他GaN器件更高的电流和更好的性能。GaNPX封装可在小封装中实现低电感和热阻。GS66508B是一个底部冷却晶体管，易于驱动。它具有极低的栅极总电荷(Q(G))和输出电容(C(oss))，从而降低了开关损耗，提高了效率。

特性

• Solantro SA4041数字电源处理器

• 32位RISC处理器，64kb RAM和256kb内部闪存

• GaN Systems GS66508B 650V eHEMTs

• 通用交流线输入电压(85V ~ 264V)

• 总线输出稳压(固件可调)

• 1.2kW连续输出功率@ 230V, 600W连续输出功率@ 115V

• 通过重新设计磁性元件并提供适当的散热和热管理，功率可以很容易地调整

• 满载效率>(99%)， PF >0.99，以达到80 PLUS钛标准

• 低THD (<3%)，可在产品开发中进一步优化

概述

框图