GSI技术低延迟dram是高级数据网络应用的理想选择，具有低随机周期时间和八银行存储阵列架构。该设备具有双重数据速率传输的性能无法与普通DRAM匹配。它的类似sram的地址接口使它更容易使用，并使设备在网络任务中保持接近100%的总线利用率。

GSI的LLDRAM设备是理想的10GbE, 40GbE和100GbE包缓冲和检查任务。它们是各种网络处理器单元和FPGA架构上的首选技术。

特性

• Pin-和功能兼容Micron RLDRAMII

• 533MHz DDR操作(1.067Gb/s/pin数据速率)

• 38.4Gb/s峰值带宽(在533MHz时钟频率下x36)

• 8M x 36单位可用

• 8家内部银行并行操作，最大带宽

• 缩短周期时间(533MHz时15ns)

• 地址多路复用(非多路复用地址选项可用)

• SRAM-type接口

• 可编程读延迟(RL)，行周期时间，突发序列长度

• 平衡读和写延迟，以优化数据总线的利用

• 写命令的数据掩码

• 差分输入时钟(CK, CK)

• 差分输入数据时钟(DKx, DKx)

• 片上DLL生成CK边缘对齐数据并输出数据时钟信号

• 数据有效信号(QVLD)

• 32 ms刷新(每个银行刷新8K;每32毫秒必须发出64K刷新命令)

• 144 -球FBGA包

• HSTL I/O(标称1.5 V或1.8 V)

• 25欧姆-60欧姆匹配阻抗输出

• 2.5V V(EXT)， 1.8V V(DD)， 1.5V或1.8V V(DDQ) I/O

• 模内终止(ODT) R(TT)

• 工业和工业温度

• 商用(+0°≤T(C)≤+95°C)

• 工业用(-40°≤T(C)≤+95°C)