ISSI 512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM是高速动态随机存取存储器设备内部组织与八个银行设置。双数据速率4个同步动态随机存取存储器组分为两组，每组有4个动态随机存取存储器组。DDR4 SDRAM采用8n预取架构，实现高速运行。ISSI 4GB DDR4 SDRAM设备提供高达2666Mbps的高速数据传输速率，使其成为电信和网络、汽车和工业嵌入式计算的理想选择。

特性

• 标准电压:VDD = VDDQ = 1.2V, VPP=2.5V

• 数据完整性

• 自动自刷新(ASR)由DRAM内置的TS

• 自动刷新和自刷新模式

• DRAM访问带宽

• 银行集团分开的IO门结构

• 自I刷新中止

• 细粒度更新

• 信号同步

• 通过MR设置写入水准

• 读水准通过MPR

• 可靠性和错误处理

• 命令/地址奇偶校验

• 数据总线写入CRC

• MPR读出

• 边界扫描

• 信号的完整性

• 内部VREFDQ培训

• 读序言培训

• 减速模式

• 每DRAM可寻址能力

• 可配置的DS系统兼容性

• 可配置on-die终止

• 数据总线反转(DBI)

• ZQ校准DS/ODT阻抗精度通过外部ZQ垫(240欧姆+/-1%)

• 省电及效率

• POD与VDDQ终止

• 命令/地址延迟(CAL)

• 最大限度的节能

• 低功耗自适应刷新(LPASR)

应用程序

• 电信/网络

• SDN, NFV

• 接入汇聚节点

• 交换机和路由器

• 包光学传输

• 网络存储(PON OLT, DSLAM, cmt，无线)

• 汽车

• 信息娱乐

• 远程信息处理

• 司机信息系统

• 工业

• 人机界面

• 嵌入式计算