Alliance Memory AS4C256M16D4和AS4C512M8D4 4GB DDR4 sdrm在96球和78球FBGA包中提供低功耗和快速的数据传输速率。这些4GB的高速sdram将操作电压从1.5V降低到1.2V(±0.06V)，从而提高了便携式电子产品的电池寿命。AS4C256M16D4和AS4C512M8D4 4GB高速CMOS DDR4 sdram具有易于使用的刷新功能，包括自动或自刷新。为了提高桌面计算机和服务器的效率和性能，256Mb x 16位AS4C256M16D4和512Mb x 8位AS4C512M8D4提供多达16个内存库。这些4GB sdram可扩展商业(0°C至95°C)和工业(-40°C至95°C)温度范围。4GB sdram非常适合用于包括便携式电子产品、台式电脑、工业、医疗、物联网、汽车、游戏和消费应用程序的服务器。

特性

• +1.2V(±0.06V)功耗低

• 提供96球和78球的FBGA套餐

• 内部配置为8个银行x 256Mb x 16位和16个银行x 512Mb x 8位

• 1200MHz和1333MHz快时钟速度

• 极高的传输速率2400Mbps/pin和2666Mbps/pin

• 使用温度范围:

• 0°C至95°C扩展商用

• -40°C到95°C工业

• 支持顺序突发和交错突发类型，动态读写突发长度为BL8/BC4/BC4或8

• 自动预充电功能提供了自计时行预充电启动在突发序列的结束

• 易于使用的刷新功能包括自动或自刷新

• 符合JEDEC和RoHS标准

• 不含铅(Pb)和卤素

应用程序

• 便携式电子设备

• 台式电脑

• 工业

• 医疗

• 物联网

• 汽车

• 游戏

• 使用者应用程序