摘要: Cypress Semiconductor Excelon 铁电ram (F-RAM)是提供低功耗、关键任务、非易失性内存的下一代F-RAM。Excelon系列将超低功耗操作与高速接口、即时不挥发性和无限的读写周期耐力结合在一起。这使得Excelon成为便携式医疗、可穿戴...
Cypress Semiconductor Excelon 铁电ram (F-RAM)是提供低功耗、关键任务、非易失性内存的下一代F-RAM。Excelon系列将超低功耗操作与高速接口、即时不挥发性和无限的读写周期耐力结合在一起。这使得Excelon成为便携式医疗、可穿戴、物联网传感器、工业和汽车应用的理想数据记录存储器。Excelon有三个不同的家族:Excelon- lp、Excelon- ultra和Excelon- auto。
Excelon F-RAM特性
与当前f - ram相比,典型待机电流(1μA)和休眠电流(0.1μA)可降低150倍
与竞争的SPI f - ram相比,增加108MHz QSPI的性能增加了10倍以上
提供NoDelay 写捕捉数据即时没有浸泡时间要求,没有任何额外的电源备份组件
2-Mbit、4-Mbit和8-Mbit密度选项
工作电压范围:1.71-1.89V和1.80-3.60V
商业(0°C到+70°C),工业(-40°C到+85°C), Auto-A(-40°C到+85°C)和Auto-E(-40°C到+125°C)温度等级。
Excelon-Ultra 用于工业自动化系统
提供休眠、深度断电、待机等多种节能模式
能耗比EEPROM低200倍,比NOR Flash产品低3000倍
提供1000万亿写周期的读写耐力,每毫秒记录数据超过3000年
引入8Mbit密度F-RAM,最高密度的串行F-RAM,以满足这些应用中不断增长的数据记录需求
可在小足迹~10mm(2), 8针GQFN包
示例应用:用于plc的高要求数据记录需求的理想存储器
Excelon-Auto 自动驾驶辅助系统
立即捕获数据,不需要浸泡时间和额外的备份组件
支持1000万亿写周期,每μs记录数据20年
提供aec - q100认证和功能安全兼容的内存组件
示例应用程序:在ADAS视觉系统中启用即时和可靠的数据捕获
Excelon-LP 用于便携式医疗、可穿戴和物联网设备应用(即将推出)
提供休眠、深度断电、待机等多种节能模式
能耗比EEPROM低200倍,比NOR Flash产品低3000倍
提供1000万亿写周期的读写耐力,每毫秒记录数据超过3000年
引入8mbit密度F-RAM,最高密度的串行F-RAM,以满足这些应用中不断增长的数据记录需求
可在小足迹~10mm(2), 8针GQFN包
示例应用:为便携式医疗应用提供延长的电池寿命、高可靠性和小尺寸
CY15B104QSN / CY15V104QSN数据表
CY15B102QN / CY15V102QN数据表
使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计
从CY15B104Q迁移到CY15B104QN
Excelon LP F-RAM内存手册
Excelon Ultra F-RAM内存手册
优胜自动F-RAM内存手册
21世纪白皮书中的数据记录内存挑战
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