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瑞萨电子ISL78444EVAL1Z评估板的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-12-14

摘要： 瑞萨电子ISL78444EVAL1Z评估板是一种快速、全面的评估方法，用于评估isl78444100v 3A源，4A半桥驱动器，用于驱动两个NMOS fet的半桥配置门。评估板上包括两个n沟道mosfet，以允许评估半桥驱动负载，如直流电机...

瑞萨电子ISL78444EVAL1Z评估板是一种快速、全面的评估方法，用于评估isl78444100v 3A源，4A半桥驱动器，用于驱动两个NMOS fet的半桥配置门。评估板上包括两个n沟道mosfet，以允许评估半桥驱动负载，如直流电机或同步开关稳压器。

特性

3A源端和4A sink NMOS栅驱动
用于高端FET栅驱动的内部电平移位器和自举开关
高达70V高侧栅极驱动参考
环境温度范围:-40℃~ +140℃

8V至18V偏置供电操作
单脉宽调制输入的高侧和低侧门驱动与三电平关闭两个驱动器
单电阻可调死区时间从35ns到400ns

框图

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