Anvo-Systems Dresden ANV32E61串行nvSRAM是一个64kb串行SRAM，每个存储单元包含一个非易失性SONOS存储元素，组织为每个8位的8k字。设备被一个高速spi兼容总线访问。ANV32E61W通过芯片使能引脚(E)使能，通过由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)和串行时钟(SCK)组成的3线接口访问。所有的编程周期都是自计时的，在存储之前不需要单独的擦除周期。

串行SRAM提供了普通SRAM的快速访问和周期时间，易用性和无限的读写耐力。专用安全功能，支持高数据精度。

通过安全的写操作，ANV32E61W只有在传输由13位地址和32位数据生成的正确的2字节CRC时才接受地址和数据。损坏的数据不能覆盖现有的内存内容，甚至有效的数据也不会覆盖损坏的地址。使用状态寄存器第4位可以监视写操作的成功。在数据位损坏的情况下，4将被设置为volatile为high。与安全读操作，ANV32E61W计算正确的2字节CRC并行数据传输。2字节的CRC是在32字节的数据已经传输之后传输的。

当检测到电力损失或任何停电情况(PowerStore操作)时，数据自动传输到非易失性存储单元。上电时，数据会自动恢复到SRAM (Power Up Recall操作)。

存储和召回操作在指令控制下也可用。通过为状态寄存器编写保护块的四个选项之一来启用块写保护。2字节非易失性寄存器支持2字节用户定义序列号的选项。本登记册仅由客户控制。状态寄存器第5位将控制页面和块翻转模式。

特性

• 兼容串行外设接口(SPI)

• 支持SPI模式0和3

• 66 mhz时钟频率

• 块写保护

• 安全的写

• 安全的读

• 2字节的用户序列号

• 低待机电流的休眠模式

• 页面和块翻转选项

• 无限的读/写的耐力

• 自动非易失性存储电源关闭

• 指令控制下的非易失性存储

• 上电后自动召回SRAM

• 无限的回忆周期

• 100 k存储周期

• 100年的非易失性数据保留

• 2.7V ~ 3.6V电源

• 工业和工业温度

• 包选项

• 150毫升SOIC-8

• DFN-8

• 通过无铅认证

应用程序

• 工业

• 汽车

• 智能计量和智能电网

• 数据记录

框图