Anvo-Systems Dresden ANV32AA1串行nvSRAM是一个1Mb串行SRAM，每个存储单元包含一个非易失性SONOS存储元素，组织为每个8位128k字。设备被一个高速spi兼容总线访问。ANV32AA1A通过芯片使能引脚使能，通过由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)和串行时钟(SCK)组成的3线接口访问。所有的编程周期都是自计时的，在存储之前不需要单独的擦除周期。

串行SRAM提供了快速访问和周期时间，易于使用，和无限读取&标准SRAM的写入耐力。专用安全功能，支持高数据精度。

通过安全的写操作，ANV32AA1A只有在传输了由17位地址和128字节数据生成的正确的2字节CRC时才接受地址和数据。损坏的数据不能覆盖现有的内存内容，甚至有效的数据也不会覆盖损坏的地址。使用状态寄存器第4位可以监视安全写操作的成功与否。在数据位损坏的情况下，4将被设置为volatile为high。

与安全读操作，ANV32AA1A计算正确的2字节CRC并行数据传输。2字节的CRC在128字节的数据被读出后被传输。

当检测到电力损失或任何停电情况(PowerStore操作)时，数据自动传输到非易失性存储单元。上电时，数据会自动恢复到SRAM (Power Up Recall操作)。

可以通过状态寄存器设置禁用PowerStore操作。存储和召回操作在指令控制下也可用。通过为状态寄存器编写保护块的四个选项之一来启用块写保护。16字节非易失性寄存器支持16字节用户定义序列号的选项。本登记册仅由客户控制。

特性

• 兼容串行外设接口(SPI)

• 支持SPI模式0和3

• 66 mhz时钟频率

• 块写保护

• 用于软件数据保护的写禁用指令

• 安全的写

• 安全的读

• 16字节的用户序列号

• 低待机电流的休眠模式

• 无限的读/写的耐力

• 自动非易失性存储电源关闭

• 指令控制下的非易失性存储

• 上电后自动召回SRAM

• 无限的回忆周期

• 100 k存储周期

• 100年的非易失性数据保留

• 3.0V ~ 3.6V电源

• 工业和工业温度

• 包装:产品有DFN

• 通过无铅认证

应用程序

• 工业

• 汽车

• 智能计量和智能电网

• 数据记录

框图