GaN Systems GS66508B-EVBDB1子板是GaN E-HEMT载体板，设计用于GS665MB-EVB 650V通用主板。GS66508B-EVBDB1子板包括两个GaN系统GS66508T 650V GaN增强模式HEMTs (E-HEMTs)和所有必要的电路，包括一个模拟器件。ADuM4121高压隔离栅极驱动器和可选散热器。开发人员可以轻松评估GS66508B增强模式GaN晶体管在任何半桥型拓扑结构中的性能，无论是gs665mb - evb通用主板或用户自己的系统设计。

特性

• 作为一个参考设计和评估工具，以及部署准备解决方案，便于系统评估

• 垂直安装方式，高度35mm，适合大多数1U设计，并允许评估GaN E-HEMT在传统通孔式电源板

• 用于开关特性测试的分流电流位置

• 所有产品的通用形状因子和足迹

主要组件

• GS66508B-EVBDB1

• GaN Systems GS66508B底面冷却650V/30A, 50毫欧GaN E-HEMT

• 模拟设备公司。ADuM4121高压隔离栅驱动器

设计资源

• 示意图

• 美国格柏公司设计文件

应用电路

板布局