摘要: Alliance Memory Pseudo SRAM采用DRAM类型的内存单元,具有免刷新操作和极低功耗技术。该接口与低功耗异步型SRAM兼容。这些设备是工业标准闪存控制接口的变种,具有多路地址/数据总线。多路地址和数据功能极大地减少了所...
Alliance Memory Pseudo SRAM采用DRAM类型的内存单元,具有免刷新操作和极低功耗技术。该接口与低功耗异步型SRAM兼容。这些设备是工业标准闪存控制接口的变种,具有多路地址/数据总线。多路地址和数据功能极大地减少了所需的信号计数,并增加了读/写带宽。
地址访问速度70ns
供电电压:2.6 ~ 3.3V
分离I/O功率(VccQ)和&核心力量(Vcc)
三个状态输出
字节读写控制由UB# / LB#
自动节能tcsr
包类型:48-FPBGA 6.0 0x7.0
工作温度
工业:-40℃~ 85℃
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