德州仪器的氮化镓(GaN)解决方案提供了高效率、功率密度和可靠性。Texas Instruments GaN组合包括控制器、驱动器和调节器，通过端到端功率转换和5MHz开关频率提供更低的功率。

功率GaN使一种新的功率开关——高电子迁移率晶体管(HEMT)成为可能。HEMT是一种场效应晶体管(FET)，与同等尺寸的硅功率晶体管相比，它允许更低的导通电阻和更快的开关。这一优点使电能转换更节能、更节省空间。生长在硅基板上的GaN模块使硅制造能力的使用成为可能。这些优点使电力HEMT广泛应用于无线基站，可靠性得到了证明。

提高了功率密度，最大限度地提高了dV/dt免疫力，优化了驱动强度，降低了噪音，提高了效率。高电压、高效率PFC和LLC参考设计可用于设计解决方案，由LMG3410 600V GaN电源级供电。使用LMG5200 80V GaN功率级可以实现多个单级48V功率转换设计。

氮化镓生态系统使新的和独特的拓扑结构和减少障碍。模拟和数字GaN FET控制器与TI GaN功率级和离散GaN FET无缝配对。

特性

• 易于使用，单个QFN包装取代三个csp

• 优化的布局使电感最小化，在干净波形下产生最低的开关损耗

• 增加功率密度

• 最大化dV / dt免疫力

• 集成GaN FET，驱动程序和保护在一个包

• 优化驱动力量

• 采用I们的高电压、高效率PFC和LLC参考设计，为LMG3410 600V GaN电源级供电的电信和服务器电源模块进行设计

• 利用LMG5200 80V GaN功率级实现多个单级48V功率转换设计

• 提供3倍低的开关损耗

• 开启>5MHz开关频率

硅与氮化镓图

TI参考设计库

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