ISSI IS29GL128 NOR闪存设备提供快速页面访问时间为20ns，相应的随机访问时间为70ns。这些存储设备有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程32个字/64个字节。因此，IS29GL128内存设备提供了比标准编程算法更快的有效编程时间。这些内存设备是需要更高密度、更好性能和低功耗的嵌入式应用程序的理想选择。IS29GL128内存设备有TSOP和BGA封装选项。

特性

• 8字/16字节的页面读取缓冲区

• 32字/64字节写缓冲区减少了多字更新的总体编程时间

• 安全硅区(SSR)区域

• 512字/1024字节的永久性安全识别扇区

• 256字工厂锁SSR和256字客户锁SSR

• 统一64Kword/128KB扇区架构

• 暂停和恢复程序的命令和删除操作

• 写操作状态位表示程序和擦除操作完成

• 支持通用Flash接口(CFI)

• 挥发性和非挥发性的高级部门保护方法

• WP # / ACC输入

• 加速编程时间(当应用V(HH)时)，从而在系统生产过程中获得更大的吞吐量

• 保护第一个或最后一个扇区，不管扇区保护设置

• Hardware reset input (reset #)复位设备

• Ready/Busy# output (RY/BY#)检测程序或擦除周期完成

• 至少100K计划/消除耐力周期

规范

• 快速访问时间-40°C到+125°C:
  

• 70ns at a V(CC)范围3V ~ 3.6V, V(IO)范围3V ~ 3.6V

• 1.65V ~ 3.6V V(IO)输入/输出

• 所有的输入电平(地址、控制和DQ输入电平)和输出都由V(IO)输入端的电压决定

• -40°C至+105°C工作温度范围(扩展等级)

• 单电源运行:
  

• 2.7V到3.6V全电压范围内读写操作

IS29GL128框图