ROHM半导体64kbit 8k x 8-bit FeRAM存储器是采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性铁电随机存取存储器(FeRAM)。MR44V064B FeRAM通过两线串行接口(I (2)C总线)和MR45V064B FeRAM使用串行外设接口。这些FeRAM设备消除了存储数据所需的电池备份，因为电池是非易失的。FeRAM存储器不像各种eeprom那样提供擦除和编程存储器单元和块的机制。

特性

• 8192字x 8位配置I(2)C总线接口

• 单路3.3V典型(1.8V ~ 3.6V)电源

• 工作频率:

• MR44V064B的HS-mode和F/ s模式加1MHz (maximum

• 40 mhz M45V064B

• 读写公差10(12)个周期/位

• 资料保留10年

• 方案选择:

• 8针塑料SOP (P-SOP8-200-1.27-T2K)

规范

• 1.8V ~ 3.6V最大供电电压

• 1000mW功耗(P(D))

• -40°C到+85°C(扩展温度版本)工作温度范围