Microchip Technology  (2)C串行EEPROM是高速、高可靠、低功耗的器件，提供16Kb、32Kb、64Kb和128Kb密度。24CW系列是为在消费和工业应用中使用而优化的，其中可靠和可靠的非易失性存储是必不可少的。24CW系列允许多达8个设备共享一个共同的I (2)C总线，能够在宽电压范围(1.6V至5.5V)上工作。

24CW系列包含一对可编程配置寄存器，允许某些设备行为被修改。这些寄存器是写保护寄存器和硬件地址寄存器。

写保护寄存器(WPR)控制可写入的EEPROM数组的有效地址范围。这允许用户选择为软件写保护配置的写保护行为。硬件地址寄存器(HAR)控制三个硬件从地址位。这些位元决定24CW系列将承认哪个设备地址。因为24CW系列是一个4引脚设备，可级联功能由HAR控制。

一旦所需的软件写保护和硬件从地址位被设置，这些配置寄存器就可以被永久锁定，从而防止任何对设备操作的进一步更改。

24CW串行EEPROM器件有8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN、5引脚SOT-23和4球CSP封装，具有设计灵活性。

特性

• 密度选择:

• 24CW16: 16 kbit在一个2048 x 8位块

• 24CW32: 32 kbit在一个4096 x 8位块

• 24CW64: 64 kbit在一个8192 x 8位块

• 24CW128: 128 kbit在一个16384 x 8位块

• 字节或页最多可写32字节

• 字节或顺序读取块内

• 自定时写周期(最大5ms)

• 高速I(2)C接口:

• 行业标准:1MHz, 400kHz和100kHz

• 输出斜坡控制，以消除地面弹跳

• 用于噪声抑制的施密特触发器输入

• 可编程硬件从地址位:

• 通过硬件地址寄存器(HAR)进行配置

• 多功能数据保护选项:

• 通过写保护寄存器(WPR)实现的软件写保护

• 高可靠性:

• 超过100万个擦写周期

• 数据保留:在200年

• ESD保护:在4000 v

• 工作电压范围1.6V ~ 5.5V

• 低功耗CMOS技术:

• 写电流:5.5V时最大1.0mA

• 读取电流:最大1.0mA在5.5V, 1MHz

• 待机电流:1μA, 5.5V

• 存储温度:-65°C ~ +150°C

• 环境偏置温度:-40℃~ +85℃

• 通过无铅认证

• 包选项

• 8-Lead SOIC

• 8-Lead TSSOP

• 8-Pad UDFN

• 领导SOT-23

• 4个球CSP (CS0)

• 4个球CSP (CS1)

框图

包类型(不可伸缩)