EMD3D256M08/16B dram是非易失性256Mb DDR3自旋传递转矩磁阻随机存取存储器(MRAM)，最大时钟频率667MHz。这些dram在DDR3速度下具有不波动性和高持久性。DDR3 STT-MRAM是一个高速MRAM内部配置为一个八行RAM。这些dram能够以高达1333MT/sec/pin的速度运行DDR3。EMD3D256M08/16B DRAM设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备上终止(ODT)和内部ZQ校准。不需要自旋转矩MRAM技术刷新单元，简化了系统设计，减少了系统开销。

特性

• 非易失性256Mb (32Mb x 816Mb x 16) DDR3

• 支持标准DDR3 SDRAM功能

• V(DD) 1.5V +/- 0.075V

• 高达667MHz (f)CK (1333MT/sec/pin)

• 页面大小512位(x8)或1024位(x16)

• 所有的地址和控制输入都锁存在时钟上升沿上

• 设备内置终止(ODT)

• 片上DLL将DQ、DQS和DQS转换与CK转换对齐

• 突发长度为8，可编程突发截长为4

• 标准10mm x 13mm 78球(x8)或96球(x16) BGA包

应用笔记

• 利用Everspin STT-MRAM

• 加速Fintech应用程序