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三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴,并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是“次世代记忆体”,是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器。
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM, 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。...
EMD3D256M08/16B dram是非易失性256Mb DDR3自旋传递转矩磁阻随机存取存储器(MRAM),最大时钟频率667MHz。这些dram在DDR3速度下具有不波动性和高持久性。DDR3 STT-MRAM是一个高速MRAM内部...
东芝和日本产业技术综合研究所自旋电子学研究中心的研究小组开发出了可降低电压驱动型非易失性磁内存“电压扭矩MRAM”的写入误码率的新写入方式。将在“IEDM 2016”上发表。这种内存与原来的电流驱动型STT-MRAM相比,特点是写入电流小,容易降低耗电量。但目前写入时误码率高,是实用化面临的一个重...
高性能、多I/O和spi兼容MRAM器件,具有1.65V至2V电压。
Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示:“Everspin将持续快...
1Gb非易失性ST-DDR4 MRAM,配置8 x 128Mb和16 x 64Mb。
研究机构IMEC已经发表了一篇论文,该研究表明,在5nm节点上,STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。
几乎所有的新兴存储器出道时都宣称与CMOS制程兼容,意思是可以做逻辑制程的嵌入式存储器。这意味着开发一种存储器技术可以一鱼两吃,适用于嵌入式和独立式存储器。
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