三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴，并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是“次世代记忆体”，是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器。

由于DRAM和NAND Flash微制成工艺已近乎接近极限，存储晶圆厂亟需另辟蹊径，寻求技术创新迭代，MRAM（磁电阻式随机存取记忆体）、PRAM(相变化记忆体）和RRAM（电阻式动态随机存取记忆体）三大存储记忆体的出现满足终端市场需求。

就笔者得知，目前三星和台积电主攻MRAM记忆体芯片，同时后者兼具RRAM的创新研发，英特尔（Intel）基于3D XPoint技术发力MRAM和PRAM记忆体芯片。

我们再看下三星，据其表示，该公司的MRAM采用28nm制程工艺，并基于FD-SOI的技术集成冲压处理，目前已经开始批量生产嵌入式磁性随机存取内存eMRAM。该公司计划年内开始生产1千兆位(Gb）eMRAM测试芯片，继续扩展其嵌入式存储器解决方案。

对于FD-SOI工艺，半导体业界同行应该并不陌生，在全球半导体晶圆市场上，三星、NXP、ST、Cadence等已经各自在FD-SOI技术领域的产品布局。

那么，为什么三星对MRAM记忆体芯片情有独钟？

因为，内置MRAM结合了DRAM和NAND闪存的特性，具备高性能、低功耗和处理速度更快等优势，并具有成本竞争优势，可替换内置小型电子产品，如物联网（IoT）设备上网使用的NAND闪存。此外，内置MRAM记忆体芯片比现有的嵌入式NAND闪存快1000倍。

另外据悉，英特尔的MRAM也已经开始投产，采用22nm制成工艺，相关参数如下表：

结论：随着次世代记忆体芯片MRAM、PRAM和RRAM开始布局市场，32层、64层等的NAND Flash闪存短期影响不大。不过，如未来次世代记忆体技术步入成熟期，并进入利基市场，其他竞品的空间或将会受限。