Everspin Technologies EMxxLX MRAM存储设备的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-12-28

摘要： 高性能、多I/O和spi兼容MRAM器件，具有1.65V至2V电压。

Everspin EMxxLX MRAM存储设备是基于独特的工业STT MRAM技术的扩展串行外围接口(xSPI)。这些存储设备是高性能、多I/O和spi兼容的磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。EMxxLX存储设备具有高速、低引脚数spi兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些存储设备还具有1.65V到2V的电压范围，主存以外的专用256字节OTP区域，3字节和4字节地址模式，以及低功耗模式。典型的应用包括工业自动化、数据中心、工程仿真、汽车和运输以及游戏。

特性

扩展的SPIbus接口支持:

八进制，四边形，双，和单一SPI协议

高达200MHz单和双传输速率(STR/DTR)八进制SPI
高达133MHz, SPI, DSPI和QSPI
数据耐力:

无限的读、写和擦除操作支持的生命周期的产品

数据保留:

最低气温10年

电平兼容:

JESD251和JESD251-1

字节级的读写，不需要像持久内存那样擦除
数据的完整性:

不需要外部ECC

低功耗模式:

小于350μA (64Mb)待机
深度断电~ 50μA w/退出时间小于100μs

SPI兼容:

NVSRAM, FRAM, NOR，并切换MRAM

用于程序/擦除模拟NOR兼容的就地执行(XIP)的SPI, xSPI命令
易失性和非易失性配置设置:

非易失性设置不受回流流保护

主存外专用256字节OTP区:

可读且用户可锁定
使用WRITE OTP命令永久锁定
不保护回流

删除功能:

芯片/批量擦除和扇区擦除
子扇区擦除4KB，粒度为32KB

安全和写入保护:

16个可配置的硬件写保护区域加上顶部/底部选择
开机时的程序/擦除保护
CRC命令检测用户数据的意外更改

电压:

1.65V至2V (1.8V)范围

密度:

8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb
400MBps的持续吞吐量，OSPI在200MHz, DTR，用于读写

启动模式配置:

启动x1, x2, x4和x8

软件复位和硬件复位引脚可用
3字节和4字节地址模式
顺序(突发)读写
电子签名:

jedec标准的3字节签名

JEDEC标准，符合RoHS的封装:

24球BGA, 6mm x 8mm (5 x 5阵列)
8针DFN, 6mm x 8mm

工作温度范围:

从-40℃到85℃
0°C到70°C
商业:
工业:

应用程序

工业自动化
数据中心
工程仿真

汽车与交通
游戏

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