Everspin Technologies EMD4E001G Spin-Transfer Torque Magnetic RAM (STT-MRAM)是1Gb非易失ST-DDR4 MRAM，配置为8 x 128Mb和16 x 64Mb。EMD4E001G提供了更有效的I/O流管理，允许存储oem显著提高其产品的服务质量。该设备采用DDR (Double Data Rate)架构实现高速运行。ST-DDR4体系结构是一个8n预取体系结构，其接口设计用于在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。功能包括多用途寄存器读和写能力，每个设备的寻址能力(PDA)，以及设备上的终端。这种STT-MRAM工作在0°C至85°C的温度范围。STT-MRAM与Xilinx FPGA控制器兼容，并在存储、fabric/软件加速器、计算存储和其他应用中提供持久的数据缓冲区。

特性

• 128Mb x8和64Mb x16的配置

• 支持DDR4的大部分特性

• 页面大小为1024位(x8)和2048位(x16)

• V(dd) = V(ddq) = 1.2v

• V (PP) = 2.5 V

• 0°C ~ 85°C工作温度范围

• 667MHz时钟频率(fCK)

• 设备内置终止

• 多用途寄存器读写能力

• 种每设备可寻址能力(PDA)

• 连通性测试

• 片上DLL将DQ、DQS和DQS转换与CK转换对齐

• 8个地址的突发长度

• 所有地址和控制输入都锁存在时钟上升沿上

• 误码率(BER) = 1 × 10-11

• 数据保存时间= 3个月，温度为70℃

• 循环耐力= 1 × 1010

• 标准FBGA包选项(无铅封):
  

• 78球(10mm x 13mm)包装(x8)

• 96球(10mm x 13mm)包装(x16)

• 定时循环时间:

• 1.5ns @ CL = 10 (ST-DDR4 1333)

• 1.5ns @ CWL = 9 (ST-DDR4 1333)

框图

应用程序

• 存储和fabric/软件加速器

• 计算存储