摘要: 英飞凌科技EVAL-1EDC20H12AH-SIC评估板采用EiceDRIVER1EDC20H12AH和CoolSiCMOSFET IMZ120R045M1。该板用于开发和演示英飞凌eicedriver和英飞凌CoolSiC MOSFE...
英飞凌科技EVAL-1EDC20H12AH-SIC评估板采用EiceDRIVER1EDC20H12AH和CoolSiCMOSFET IMZ120R045M1。该板用于开发和演示英飞凌eicedriver和英飞凌CoolSiC MOSFET的功能和关键特性。EVAL-1EDC20H12AH-SIC使用1EDC20H12AH,根据UL 1577认证(V (ISO) = 2500 V (rms)为1分钟)。
EVAL-1EDC20H12AH-SIC使用1EDC20H12AH,根据UL 1577认证(V(ISO)= 2500 V((rms)) 1分钟)
该板包含两个栅极驱动程序,以半桥结构驱动两个SiC MOSFET开关
附加栅极驱动器用于通过功率高压侧之间的隔离屏障将过流信息传输到低压输入侧
为了在实验室中简单使用,还设计了电压调节器和DC-DC变换器等辅助电路
DC-DC变换器为每个SiC MOS驱动级提供电隔离的电源电压
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