GaN Systems第三代绝缘金属衬底(IMS)评估平台是高功率组件，可用于半桥和全桥变体。半桥评估组件有120A / 13毫欧和60A / 25毫欧的变体。这种半桥式平台的垂直安装特性在5kW以上的大功率系统中非常有用。垂直板可以很容易地适应水平安装，并可以连接到系统散热器。

第三代IMS基于评估平台提供非常低的电感，并具有优化的驱动板，最大限度地减少了功率和门驱动回路。典型的应用程序包括汽车、工业、消费电子产品和服务器或数据中心。

评价平台

该评估平台由主板(GSP65MB-EVB)和IMS评估模块组成。IMS评估模块配置为半桥，有两种功率级别可供选择:

• GSP65R13HB-EVB - 650V/13毫欧，6kW

• GSP65R25HB-EVB - 650V/25毫欧，3kW

有了这些构建块，就有了四个配置选项:低功率、高功率、半桥接和全桥接。

IMS评估模块与GaN系统GS66516B E-HEMT填充。该装置采用底面冷却，额定650V/25毫欧。

特性

• IMS模块垂直安装为高功率密度设计

• 垂直空间可用于晶体管安装

• 为IMS套件的开环评估平台

• 全桥桥板可用于全桥和半桥拓扑评估

• 非常低的电感:

• 常见的来源

• 整流回路

• 门驱动循环

应用笔记

• 并联GaN基hemi半桥功率级的设计考虑

• 顶部冷却的GaNPX-T封装设备的热设计

板布局

半桥式方框图

全桥方框图