ISSI IS34ML/MW SLC NAND闪存芯片存储每存储器单元1位数据，并提供快速读写能力。这些闪存芯片有1Gb、2Gb和4Gb内存可供选择。IS34ML/MW闪存芯片具有灵活的x8或x16选项，硬件数据保护，自动读取操作，低成本的均匀块，典型的3ms块擦除时间。这些集成电路适用于需要高可靠性的高性能应用。典型的应用包括汽车信息娱乐、仪表集群、工业仪表和传感器、智能计量、数字电视和相机、游戏机、打印机和机顶盒。

特性

• 电源电压

• VCC范围为1.7V ~ 1.95V

• VCC范围为2.7V ~ 3.6V

• IS34ML闪存

• IS34MW闪存

• 灵活的x8或x16选项

• 具有成本效益的统一区块

• 典型的3毫秒块擦除时间

• 自动读取操作

• 硬件数据保护

• 100 k计划/消除周期

• 10年数据保留

应用程序

• 汽车信息娱乐

• 产业集群

• ADAS

• 工业仪表和传感器

• PoS终端

• 智能计量

• 游戏机

• 打印机

• 数码电视和相机

• 机顶盒