张明IS62WVS串行存储器的使用高性能CMOS技术提供4µ待机电流。这些sram是512K或1M或2M位串行静态ram，分别以8位组织为64K或128K或256K字节。I62WVS串行sram提供20MHz时钟率，串行外设接口(SPI)兼容总线接口，并支持无限读取和写入内存阵列。支持的额外接口是串行双接口(SDI)和串行四接口(SQI)为更快的数据速率要求。这些存储器操作在-40°C 85°C的温度范围和可用的无铅产品有SOIC包。典型的应用包括工业物联网、先进的驾驶辅助系统和医疗行业。

特性

• 高性能低功耗CMOS技术

• SPI总线兼容:

• SPI(x1)或SDI(x2)或SQI(x4) I/O模式

• RAM组织:

• 512Kb SRAM为64K字节* 8位

• 1Mb SRAM为128K字节* 8位

• 2Mb SRAM, 512K字节* 8位

• 超低功耗:

• 8mA读取电流@ 3.6V, 20MHz(最大)

• 4μA待机电流(典型)

• 阅读模式:

• 字节读模式

• 页面读模式

• 顺序读模式

• 32字节的页面大小

• 最大频率:

• 16兆赫@ 1.8 v (DD)

• 20 mhz @ 3 v (DD)

• 产品有SOIC包

应用程序

• 工业物联网

• 高级驾驶辅助系统

• 工业应用

• 医疗

IS62WVS框图