NXP Semiconductors AFV10700H射频功率LDMOS晶体管专为工作在1030MHz至1090MHz的脉冲应用而设计。这种LDMOS晶体管也可以在960MHz到1215MHz频段以低功率使用。该设备适用于具有大占空比和长脉冲的国防和商业脉冲应用，如敌I识别、二次监视雷达、ADS-B应答器、二甲醚和其他复杂脉冲链。AFV10700H射频功率LDMOS晶体管基于NXP Airfast技术，包含在紧凑的NI-780H-4L (AFV10700H)或NI-780S-4L (AFV10700HS)空腔包中，设计灵活性。

AFV10700H射频功率LDMOS晶体管基于NXP Airfast技术，包含在紧凑的NI-780H-4L (AFV10700H)或NI-780S-4L (AFV10700HS)空腔包中，设计灵活性。

特性

• 内部输入和输出匹配宽带操作和易于使用

• 设备可采用单端，推拉，或正对接置

• 最高可达55V(DD)运行

• 高强度，手柄>20:1VSWR

• 集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，改善了C类操作和栅电压脉冲

• 推荐驱动程序:MRFE6VS25N (25W)或MRF6V10010N (10W)

• 通过无铅认证

• 包括NXP产品寿命计划，在推出后至少15年的供应保证。

规范

• 频率范围:1030MHz ~ 1090MHz

• 电源电压:50 v

• 输出功率:峰值700W

• 测试信号:脉冲

• 功率增益:19.2dB @ 1030MHz

• 效率:58.5%

• 热敏电阻:0.03°C / W

• 输入和输出阻抗匹配

• AB类: