ISSI Mobile LPDDR2 sdram采用双数据速率架构实现高速运行。移动LPDDR2 SDRAM双数据速率体系结构是一个预取体系结构，其接口设计为在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。移动LPDDR2数据路径是内部流水线的，4n位预取以实现非常高的带宽。

特点包括时钟频率范围10MHz到533MHz, 4到8个内部银行并发操作。该设备提供参考时钟上升和下降边缘的完全同步操作。有两个包可供选择，134球BGA用于x16/x32, 168球PoP BGA用于x32。

特性

• 低压核心和I/O电源

• V(DD)2 = 1.14V to 1.30V, V(DD)CA/V(DD)Q = 1.14V to 1.30V, V(DD)1 = 1.70V to 1.95V

• 高速无终止逻辑(HSUL_12) I/O接口

• 时钟频率范围:10MHz至533MHz(数据速率范围:20Mbps至1066Mbps / I/O)

• 4位预取DDR架构

• 多路复用，双数据速率，命令/地址输入

• 四到八家内部银行同时经营

• 数据字节的双向/差分数据频闪(DQS/DQS#)

• 可编程读/写延迟(RL/WL)和突发长度(4、8或16)

• 片上温度传感器控制自刷新率

• ZQ校准

• Partial-array self-refresh (PASR)

• 深度断电模式(DPD)

• 配置

• 128Mx16 (16M x16 x 8 bank)

• 64Mx16 (8M x16 x 8银行)

• 64Mx32 (8M x32 x 8银行)

• 32Mx32 (4M x32 x 8银行)

• 32Mx16 (8M x16 x 4银行)

• 16Mx32 (4M x32 x 4银行)

• 温度等级

• 0°C至85°C商用

• -40°C到85°C工业

• -40°C to 85°C

• -40°C to 105°C

• 包

• 134球的BGA x16/x32

• 168球流行BGA x32

原理框图