摘要: Cypress Semiconductor S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储...
Cypress Semiconductor S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储子系统基于Cypress HyperBus接口,是空间受限、成本优化的物联网和嵌入式设计的理想解决方案。
HyperFlash和HyperRAM MCP是各种嵌入式应用程序的理想解决方案。这些应用包括汽车集群和信息娱乐、通信设备、工业应用和高性能消费产品。
MCP提供工业(-40°C至85°C)和工业加(-40°C至105°C)温度范围。这两个温度范围也可与AEC - Q100认证和PPAP支持。
多芯片封装的HyperFlash和HyperRAM (MCP)
3.0V, 512Mb超闪存和64mb超ram (S71KL512SC0)
FBGA 24球,6x8x1.0mm封装
HyperBus接口
3.0V I/O, 11总线信号
双向数据选通/面具
在所有事务开始时的输出,以指示刷新延迟
在读取事务期间的输出作为读取数据频闪
写入事务期间的输入为写入数据掩码
单端时钟(CK)
芯片选择(CS #)
8位数据总线(DQ[7:0])
读写数据频闪
可选信号
用户可配置的RSTO#低周期
忙碌到就绪的转换
重置
INT#输出,以生成外部中断
RSTO#输出生成系统级上电复位(POR)
高性能
每个时钟传输两次数据
1率(DDR)
高达100MHz时钟速率(200MB/s)在3.0V(CC)
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