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Cypress Semiconductor S71KL512SC0 HyperFlash和HyperRAM MCP的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-11-23

摘要: Cypress Semiconductor S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储...


    Cypress Semiconductor S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储子系统基于Cypress HyperBus接口,是空间受限、成本优化的物联网和嵌入式设计的理想解决方案。


    HyperFlash和HyperRAM MCP是各种嵌入式应用程序的理想解决方案。这些应用包括汽车集群和信息娱乐、通信设备、工业应用和高性能消费产品。

    MCP提供工业(-40°C至85°C)和工业加(-40°C至105°C)温度范围。这两个温度范围也可与AEC - Q100认证和PPAP支持。


    特性

    • 多芯片封装的HyperFlash和HyperRAM (MCP)

      • 3.0V, 512Mb超闪存和64mb超ram (S71KL512SC0)

      • FBGA 24球,6x8x1.0mm封装

    • HyperBus接口

    • 3.0V I/O, 11总线信号

      • 双向数据选通/面具

      • 在所有事务开始时的输出,以指示刷新延迟

      • 在读取事务期间的输出作为读取数据频闪

      • 写入事务期间的输入为写入数据掩码

      • 单端时钟(CK)

      • 芯片选择(CS #)

      • 8位数据总线(DQ[7:0])

      • 读写数据频闪

    • 可选信号

      • 用户可配置的RSTO#低周期

      • 忙碌到就绪的转换

      • 重置

      • INT#输出,以生成外部中断

      • RSTO#输出生成系统级上电复位(POR)

    • 高性能

      • 每个时钟传输两次数据

      • 1率(DDR)

      • 高达100MHz时钟速率(200MB/s)在3.0V(CC)

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