Alliance Memory DDR2 SDRAM是按照DDR2 SDRAM的关键特性设计的。一些特性，比如带有附加延迟的发布CAS#、写延迟=读延迟-1和死后终止(ODT)。所有的控制和地址输入都用一对外部提供的差分钟同步。输入锁存在差动时钟的交叉点(CK上升和CK#下降)。所有的I/ o都是通过一对双向频闪(DQS和DQS#)以源同步方式同步的。地址总线以RAS #、CAS#多路方式传递行、列和银行地址信息。

访问从注册银行激活命令开始，然后是读或写命令。对DDR2 SDRAM的读写访问是面向4位或8位突发的。访问从选定的位置开始，并按程序顺序为程序数的位置继续进行。以交叉方式操作8个存储库允许以更高的速率进行随机存取操作。可使能自动预充电功能，以提供自计时行预充电。自计时行预充电在突发序列的末尾被启动。一个连续和无间隙的数据率是可能的取决于突发长度，CAS延迟，和设备的速度等级。

特性

• 电平符合标准

• JEDEC standard 1.8V I/O(兼容sstl_18)

• 电源:VDD &VDDQ = +1.8V±0.1V

• 商业使用温度范围:0℃~ 85℃

• 工业使用温度范围:-40°C~ 95°C

• 完全同步操作

• 400MHz的快时钟速率

• 差动时钟，CK &CK #

• 双向单/差分数据闸门

• 4比特预取架构

• 内部管道架构

• 预先充电,有功功率下降

• 可编程模式,扩展模式寄存器

• 已张贴的cas#附加延迟(AL): 0、1、2、3、4、5和6

• 写时延=读时延- 1 tCK

• 爆炸长度:4或8

• 突发类型:顺序/交错

• DLL启用/禁用

• On-die终止(ODT)

• 通过无铅认证

• 自动刷新和self-refresh

• 8192个刷新周期/ 64ms

• 无铅无卤素包装