Cypress Semiconductor CY15B004Q 4-Kbit串行(SPI)汽车F-RAM是非易失性存储器，使用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的，其读写性能与RAM类似。CY15B004Q提供了121年的可靠数据保存，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

特性

• 逻辑组织为512×8的4kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)
  

• 高耐力10万亿(1013)读写

• 121年数据保留(见数据保留和耐久表)

• NoDelay写道

• 先进的高可靠性铁电工艺

• 快速串行外围接口(SPI)
  

• 频率可达16MHz

• 串行闪存和EEPROM的直接硬件更换

• 支持SPI模式0(0,0)和模式3 (1,1)

• 复杂写保护方案
  

• 使用写保护(WP)引脚的硬件保护

• 使用写禁用指令的软件保护

• 软件块保护为1/4,1/2，或整个阵列

• 低功耗
  

• 200μA 1MHz有源电流

• 6μA (typ)待机电流+85°C

• 低压运行:VDD = 3.0V ~ 3.6V

• 温度:-40°C至+125°C

• 8针小轮廓集成电路(SOIC)封装

• 符合AEC Q100 1级

• 有害物质限制(RoHS)合规

框图