Cypress FL-L NOR闪存系列使用65nm工艺光刻和浮栅技术。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。FL-L系列支持传统的SPI单位(单I/O或SIO)，以及可选的2位(双I/O或DIO)。此外，它还支持四位宽的Quad I/O (QIO)和Quad外围接口(QPI)命令。

FL-L系列为QIO和QPI使用双数据速率(DDR)读命令，它在时钟的两端传输地址和读取数据。该体系结构提供了一个页面编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字节。该体系结构还提供了单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除。FL-L NOR Flash为各种移动或嵌入式应用程序提供了高密度、灵活性和快速性能。

闪存为空间、信号连接和电源有限的系统提供了优秀的存储解决方案。此外，闪存是理想的代码隐藏到RAM，直接执行代码(XIP)，并存储可重新编程的数据。

特性

• 串行外设接口(SPI)与多i /O
  

• 时钟极性和相位模式0和3

• 双数据速率(DDR)选项

• Quad外围接口(QPI)选项

• 扩展地址:24位或32位地址选项

• 串行命令子集和足迹兼容S25FL-A, S25FL1-K, S25FL-P, S25FL-S和S25FS-S SPI系列

• 多I/O命令子集和足迹兼容S25FL-P, S25FL-S和S25FS-S SPI家族

• 读
  

• 命令:正常，快速，双I/O, Quad I/O, DualO, QuadO, DDR Quad I/O

• 模式:Burst Wrap, Continuous (XIP)， QPI

• SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)，用于配置信息

• 程序架构
  

• 256字节的页面编程缓冲区3.0V FL-L闪存

• 程序暂停和恢复

• 消除架构
  

• 统一的4KB扇区擦除

• 统一的32KB半块擦除

• 统一的64KB块擦除

• 芯片擦除

• 删除暂停和恢复

• 100000年Program-Erase周期

• 典型的数据保存时间为20年

• 技术
  

• 65nm浮栅技术

• 安全特性
  

• 单个块锁:不稳定的单个扇区/块

• 指针区域:非易失性扇区/块范围

• 安全区域2、3和指针区域的电源锁定、密码或永久保护

• 状态和配置寄存器保护

• 四个256字节的安全区域，每个区域位于主闪存阵列之外

• Legacy Block Protection:块范围

• 个体和区域保护
  

• 单电源电压CMOS I/O
  

• 2.7 v至3.6 v

• 温度范围
  

• 工业用(-40°C to +85°C)

• 工业+(-40°C to +105°C)

• 扩展(-40°C到+125°C)

• 汽车，AEC-Q100 3级(-40°C to +85°C)

• 汽车，AEC-Q100 2级(-40°C to +105°C)

• 汽车，AEC-Q100 1级(-40°C to +125°C)

• 包(所有Pb-free)
  

• 8引脚SOIC 208 mil (SOC008) -仅限S25FL128L

• WSON 5 x 6mm (WND008) -仅限S25FL128L

• WSON 6 x 8mm (WNG008) -仅限S25FL256L

• 16引脚SOIC 300 mil (SO3016) -仅限S25FL256L

• BGA-24 6 x 8mm
  

• 5×5球(FAB024)的足迹

• 4×6球(FAC024)足迹