Broadcom AFBR-S4N33C0133mm NUV-HD单SiPM(硅光电倍增管)在芯片大小的封装中具有3.0mm x 3.0mm的活动区域。硅光电倍增管用于超灵敏精密测量单个光子。

Broadcom AFBR-S4N33C013允许使用通硅通(TSV)技术和芯片大小封装(CSP)实现单个芯片的高封装密度。通过平铺多个AFBR-S4N33C013 CSPs可以覆盖更大的区域，而且边缘损耗很小。保护层是由一种高度透明的玻璃制成的，其波长可达紫外光。保护层在可见光谱中产生广泛的响应，对光谱中的蓝色和近紫外区域具有高灵敏度。

AFBR-S4N33C013 SiPM设计用于探测低电平脉冲光源。这些特别适合于检测切伦科夫或闪烁光最常见的有机(塑料)和无机闪烁材料(例如，LSO, LYSO, BGO, NaI, CsI, BaF, LaBr)。

AFBR-S4N33C013 NUV-HD SiPM工作温度范围为-40°C至+85°C，无铅，符合RoHS要求。

特性

• 高PDE超过54%在420nm

• 之包(CSP)

• 出色的SPTR和CRT

• 击穿电压均匀性好，180mV(3西格玛)

• 良好的增益均匀性

• 采用TSV技术(4面平铺)，填充系数高

• 尺寸3.14毫米x3.14毫米(2)

• 单元间距30μm×30μm(2)

• 高度透明的玻璃保护层

• 工作温度范围为-40°C至+85°C

• 符合RoHS和REACH要求

应用程序

• x射线和伽马射线探测

• 谱学

• 安全与安全

• 核医学

• 正电子发射断层扫描

• 生命科学

• 流式细胞术

• 荧光-发光测量

• 时间相关单光子计数

• 高能物理

• 天体物理学

规范

• -40°C ~ +85°C存储温度

• -40°C至+85°C工作温度

• 245°C焊接温度

• 60s铅焊接时间

• 2kV静电放电电压能力HBM

• 500V静电放电电压能力CDM

• 10V工作过电压

框图