Broadcom AFBR-S4N66C013 6mm单硅光电倍增管(SiPM)专为单光子的超灵敏精密测量而设计。该单SiPM提供6.14mm(2) x 6.14mm(2)有源面积，并通过利用透硅通孔(TSV)技术促进单个芯片的高封装密度。AFBR-S4N66C013 SiPM具有高光子检测效率(PDE)、高填充因子、优良的击穿电压均匀性和良好的增益均匀性。

这种SiPM有一层玻璃保护层，在紫外线下高度透明。这在可见光谱中产生了广泛的响应，对光谱中的蓝uv和近uv区域具有高灵敏度。典型的应用包括x射线检测、伽马射线检测、核医学、生命科学、流式细胞术和天体物理学。

特性

• 单硅光电倍增管

• 超过55%的PDE在420nm波长

• 优秀单光子时间转(SPTR)

• 击穿电压和增益均匀性好

• 采用TSV技术(四边可倾斜，高填充系数)

• 高度透明的玻璃保护盖，在紫外光谱区域的高灵敏度

• 符合RoHS和REACH要求

规范

• 6.14mm(2)×6.14mm(2)活动面积

• 30µm (2) x 30µm(2)细胞

• 77%的微电池充盈系数

• 工作温度范围:-40°C ~ 85°C

应用程序

• x射线和伽马射线探测

• 谱学

• 安全与安全

• 核医学

• 正电子发射断层扫描

• 生命科学

• 流式细胞术

• 荧光-发光测量

• 时间相关单光子计数

• 高能物理

• 天体物理学

框图