安森美半导体FOD3125高温栅驱动光耦合器提供2.5A输出电流，设计用于在高达125°C的高温下驱动大多数中功率IGBT/MOSFET。FOD3125非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电力系统中的功率IGBT和mosfet的快速开关驱动。FOD3125栅驱动光耦合器采用半导体光平面的专利技术 封装技术和优化的IC设计，以实现高抗噪声，其特点是高共模抑制。

FOD3125栅驱动光耦合器由镓铝砷化(AlGaAs)发光二极管光耦合到集成电路，该集成电路具有推拉型MOSFET输出级的高速驱动。

特性

• 扩展工业温度范围，-40°C至125°C

• 高噪声免疫力以35 kv /µs最低共模抑制

• 最高1200V/20A IGBT峰值输出电流驱动能力

• 在输出阶段使用p通道mosfet可以使输出电压摆幅接近电源轨

• 供电电压范围宽，从15V到30V

• 转换速度快

• 400 ns最大。传播延迟

• 100 ns最大。脉冲宽度失真

• 带滞后的欠电压锁定(UVLO)

• 安全和监管(待批准)

• UL1577, 5000 VACRMS, 1分钟。

• DIN EN/IEC60747-5-5, 1414 V峰值工作绝缘电压(VIORM)

• 1欧姆(典型)的R(DS(ON))提供更低的功耗

• 峰值工作绝缘电压(VIORM)

• Pb-免费设备

应用程序

• 工业逆变器

• 不间断电源

• 感应加热

• 隔离IGBT/功率MOSFET栅驱动

框图