安森美半导体j系列硅光电倍增管(SiPM)传感器已被优化的高性能定时应用，如ToF-PET(飞行时间正电子发射断层扫描)。由于增加了微单元密度，j系列传感器可以实现50%的光子探测效率(PDE)，灵敏度向下延伸到紫外线。这些传感器具有行业领先的50kHz/mm的低暗计数率 (2)由于传感器是使用高体积CMOS硅工艺制造的，它们具有±250mV的击穿电压均匀性。j系列传感器有3mm、4mm和6mm尺寸，封装在TSV芯片规模封装中，与行业标准兼容，无铅，回流焊工艺。j系列传感器还具有半导体独特的快速输出快速定时能力。

特性

• 高密度微蜂窝技术

• j系列传感器具有半导体独特的快速输出端子

• 温度稳定性为21.5mV/°C

• 击穿电压均匀度±250mV

• 可在回流焊兼容TSV芯片级封装

• 典型的超低暗计数率50kHz/mm(2)

• 优化的高性能定时应用，如ToF-PET

• 3mm、4mm和6mm传感器尺寸

• 30V的偏置电压

• 结果在420nm波长下，光子探测效率(PDE)达到50%

• 改善信号上升时间和微单元恢复时间

• 不需要有功电压控制

• 行业领先的均匀性

• TSV封装的结果是几乎零死区允许创建高填充因子阵列和无铁金属

应用程序

• 医学成像

• 风险,威胁

• 3 d等,传感

• Biophotonics,科学

• 高能物理