安森美半导体c系列硅光电倍加(SiPM)传感器具有业界领先的30kHz/mm低暗计数率 (2)、结合异常击穿电压均匀性±250mV。高光子探测效率(PDE)延伸到光谱的蓝色部分使用高体积，CMOS工艺。这些传感器有1mm, 3mm和6mm尺寸和各种微单元尺寸可供选择。它们封装在一个瓦模制引线框架(MLP)封装，与行业标准兼容，无铅，回流焊接工艺。c系列还具有一个独特的快速输出快速定时应用。

特性

• 40% PDE在420nm，扩展灵敏度到300nm，提高紫外灵敏度

• 超低暗计数率30kHz/mm(2)

• 所有c系列产品击穿电压均匀性均为±250mV

• 温度稳定性为21.5mV/°C

• 从一个独特的“快速输出”端子，超快上升时间300ps, 600ps脉冲宽度

• 30V的偏置电压

• 传感器尺寸为1mm、3mm和6mm

• 固态替代传统PMT的广泛应用

• 106的高增益导致单光子灵敏度

• 同行业中最好的V(br)一致性

• 紧凑的、健壮的包装

• 评估板与SMA连接器或引脚都是可用的，以方便评估

应用程序

• 医学成像

• 风险,威胁

• 3 d等,传感

• Biophotonics,科学

• 高能物理