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Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发射二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-11-03

摘要: Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发射二极管适用于高脉冲电流操作。VSLB4940二极管的峰值波长为940nm,辐射强度为65mW/sr,光束角度为±22°,正向电压为1.42V,下降时间为15ns。该红外...


    Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发射二极管适用于高脉冲电流操作。VSLB4940二极管的峰值波长为940nm,辐射强度为65mW/sr,光束角度为±22°,正向电压为1.42V,下降时间为15ns。该红外二极管可在GaAlAs,多量子阱(MQW)技术,并在一个透明塑料封装模压。VSLB4940红外二极管带铅T-1型包, D0 3mm尺寸该红外二极管适用于红外遥控单元、反射传感器、光屏障等应用。


    特性

    • 含铅类型包

    • 高速

    • 高辐射功率

    • 低正向电压

    • 适用于高脉冲电流操作

    • 与硅(Si)光电探测器的良好光谱匹配


    规范

    • 峰值波长940nm(λ(p))

    • 65 mw / sr辐射强度

    • 半强±22°角(ψ)

    • D0 3毫米尺寸

    • 15ns起落时间

    • 160兆瓦的功率损耗

    • 1.42 v正向电压

    • 100毫安正向电流

    • 反向5伏电压

    • 100°C结温

    • 工作温度范围:-25°C ~ 85°C

    • —40℃~ 100℃存储温度范围

    • 260°C焊接温度


    VSLB4940包装尺寸


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