Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发射二极管适用于高脉冲电流操作。VSLB4940二极管的峰值波长为940nm，辐射强度为65mW/sr，光束角度为±22°，正向电压为1.42V，下降时间为15ns。该红外二极管可在GaAlAs，多量子阱(MQW)技术，并在一个透明塑料封装模压。VSLB4940红外二极管带铅T-1型包， D0 3mm尺寸该红外二极管适用于红外遥控单元、反射传感器、光屏障等应用。

特性

• 含铅类型包

• 高速

• 高辐射功率

• 低正向电压

• 适用于高脉冲电流操作

• 与硅(Si)光电探测器的良好光谱匹配

规范

• 峰值波长940nm(λ(p))

• 65 mw / sr辐射强度

• 半强±22°角(ψ)

• D0 3毫米尺寸

• 15ns起落时间

• 160兆瓦的功率损耗

• 1.42 v正向电压

• 100毫安正向电流

• 反向5伏电压

• 100°C结温

• 工作温度范围:-25°C ~ 85°C

• —40℃~ 100℃存储温度范围

• 260°C焊接温度

VSLB4940包装尺寸