摘要: Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发射二极管适用于高脉冲电流操作。VSLB4940二极管的峰值波长为940nm,辐射强度为65mW/sr,光束角度为±22°,正向电压为1.42V,下降时间为15ns。该红外...
Vishay Semiconductors VSLB4940高速红外发射二极管适用于高脉冲电流操作。VSLB4940二极管的峰值波长为940nm,辐射强度为65mW/sr,光束角度为±22°,正向电压为1.42V,下降时间为15ns。该红外二极管可在GaAlAs,多量子阱(MQW)技术,并在一个透明塑料封装模压。VSLB4940红外二极管带铅T-1型包, D0 3mm尺寸该红外二极管适用于红外遥控单元、反射传感器、光屏障等应用。
含铅类型包
高速
高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
与硅(Si)光电探测器的良好光谱匹配
峰值波长940nm(λ(p))
65 mw / sr辐射强度
半强±22°角(ψ)
D0 3毫米尺寸
15ns起落时间
160兆瓦的功率损耗
1.42 v正向电压
100毫安正向电流
反向5伏电压
100°C结温
工作温度范围:-25°C ~ 85°C
—40℃~ 100℃存储温度范围
260°C焊接温度
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