松下AQZ20xG高容量PhotoMOS 继电器提供了一个薄SIL 4针封装(21.0mm x 3.5mm x 12.5mm)，使高密度安装。紧凑AQZ20xG继电器特性节省空间的设计,低导通电阻(< 0.015欧姆Typ),高灵敏度(1 ma Typ)和低断开的泄漏电流(10µMax)。高容量继电器可以切换大范围的电流和电压，同时控制各种类型的负载，从非常小到最大6A。交流/直流电流的排序器，电机，和灯。双向控制是可能的，因为不需要区分，取决于负载，传统SSR是必要的。可控硅、光电耦合器或SSR不能用于控制小于几百mV的信号。电源1形成一个PhotoMOS继电器具有极低的闭路偏置电压，可以控制低电平模拟信号而不失真。

特性

• 高容量型功率PhotoMOS继电器

• 低导通电阻和高灵敏度

• AC / DC双重使用

• 苗条SIL 4针包

• 10µ最大的低级断开的泄漏电流。

• 控制低电平模拟开关

规范

• 输入

• LED正向电流:50mA

• LED反向电压:5V

• 峰值正向电流:1A

• 功耗:75兆瓦

• 输出

• 负载电压:60V、100V、200V、600V

• 连续负载电流:6.0A、4.0A、2.0A、1.0A

• 峰值负载电流:12.0A、8.0A、6.0A、3.0A

• 功耗:1.6 w

• 总功耗1.6W

• I/O隔离电压:2500Vrms

• 工作温度范围:-40°C至+85°C

• 存储温度范围:-40℃~ +100℃

• 工作频率:最大0.5 5cps。

• 初始I/O隔离电阻:1000毫欧

• 关闭状态泄漏电流:10µ

• RoHS投诉

应用程序

• 交通信号

• 测量仪器

• 工业机器

• 水银继电器替代