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为能源基础设施提供半导体解决方案的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-10-13

摘要: 针对能源基础设施的半导体解决方案解决了能源生产、分配和存储的快速发展,以实现政府政策设定的目标和增加消费。提高能效目标、减少二氧化碳排放以及关注可再生和清洁能源是这一能源基础设施发展的关键因素。ON Semiconductor提供全面的节能...


    针对能源基础设施的半导体解决方案解决了能源生产、分配和存储的快速发展,以实现政府政策设定的目标和增加消费。提高能效目标、减少二氧化碳排放以及关注可再生和清洁能源是这一能源基础设施发展的关键因素。ON Semiconductor提供全面的节能解决方案组合,以满足高功率应用的苛刻需求,包括碳化硅二极管(SiC)、智能功率模块和电流检测放大器。


    太阳能逆变器



    太阳能模块是最常见的商业和消费者选择产生可再生能源。这种可再生能源带来的挑战是将可变电源整合到一个标准化的电网中。太阳能逆变器在将直流太阳能电池板整流到交流电网中起着至关重要的作用。除了有效的AC/DC转换,太阳能逆变器通常用于监测光伏二极管的非线性响应,以确保产生最大的功率。ON Semiconductor提供了一个完整的解决方案,旨在检测、保护和控制从电池到电网的能量。


    不间断电源(UPS)



    不间断电源对依赖时间和数据的数字网络至关重要。计算分析、数据存储和分发、电信系统,甚至是选定的城市,都依赖于UPS承诺的恒定电源。这些保护电源通常集成到电源的流动。这确保了电池或其他存储设备的持续监控和通电,以便在发生系统故障时,UPS是满负荷支持能力。这种监控、充电和AC/DC整流要求硅不仅能在高电流状态下工作,而且效率高。ON Semiconductor提供了一个完整的节能解决方案,它被设计来控制和转换电力,无论是否有电源故障。


    电动汽车充电



    电动汽车充电站是电动汽车基础设施的重要组成部分。与太阳能转换或备用电源不同,电动汽车充电站正处于应用的边缘。这些基站需要能够以一种标准化的格式进行通信和传输电力,这种格式允许广泛的适应性和使用。除了快速充电时间和高效交直流整流的复杂性,电动汽车充电站还需要为最终用户提供安全和交互功能。ON Semiconductor提供了一套完整的解决方案,旨在快速、无缝地将电力传输到电动汽车上。



    大电流栅驱动器

    ON Semiconductor的NCD570x绝缘栅双极晶体管(IGBT)栅极驱动器是用于大功率应用的高电流、高性能器件,如太阳能逆变器、电机控制和不间断电源(ups)。这些栅极驱动器是高度集成的,通过消除许多外部组件和集成保护功能,提供了一个具有成本效益的解决方案。











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    目前感觉放大器

    当前消耗监测提供了关键信息,有助于系统的安全和诊断功能。ON Semiconductor提供集成外部电阻的电流检测放大器,除了具有成本效益的独立运放外,还提供更高的精度、更小的解决方案。











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    650 v,1200 v igbt

    ON Semiconductor的650V &1200V绝缘栅双极晶体管(igbt)具有强大且成本有效的超场停止沟槽结构,并在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,提供低的状态电压和最小的开关损耗。











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    650V超极晶体管III型mosfet

    On Semiconductor的650V superet III系列提供专为高功率密度设计的高性能超级结场效应晶体管。在相同的封装尺寸下,与之前行业领先的技术相比,superet III技术具有最佳的FOM和Eoss,降低了40%以上的RDS(ON)。这使得产品设计者可以在相同的空间中利用减小的封装尺寸或增加的功率。superet III具有健壮的体二极管和平衡良好的开关行为。











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    100 v,150 v PowerTrench场效电晶体

    这些mosfet是使用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺生产的。硅和Dual Cool封装技术的进步结合在一起,提供最低的rDS(on),同时通过极低的结-环境热电阻保持出色的开关性能。











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    智能电源模块(IPMs)

    ON Semiconductor的功率模块为能源基础设施应用提供功能齐全、高性能的Boost PFC(功率因数校正)输入功率级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,以最小化EMI和损耗,同时还提供多种模块上的保护功能,包括欠压锁定、过流关闭、热监测和故障报告。











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    电源集成模块(PIMs)

    功率集成模块利用半导体在汽车点火igbt和智能功率模块(IPM)开发方面的丰富经验,以及封装专业知识,提供完全符合最高行业标准的功率解决方案。此外,安盛半导体模块解决方案为客户提供全面集成的硅和封装供应链,确保高质量和成本效率。

    NXH80B120L2Q0SG是一个功率模块,包含两个升压级,由两个40A/1200V igbt、两个15A/1200V SiC二极管和两个25A/1600V反并联二极管组成。两个额外的25A/1600V旁路整流器用于浪涌电流限制包括。包括一个板载热敏电阻。











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    高压整流器

    ON Semiconductor的高压整流器产品组合包括适用于各种应用的最佳解决方案,为客户提供满足其设计要求的灵活性。











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    碳化硅二极管

    碳化硅(SiC)肖特基二极管采用了一种全新的技术,提供了卓越的开关性能和对硅的更高可靠性。无反向恢复电流、温度无关开关特性、优异的热工性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统的优点包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少电磁干扰,减少系统尺寸和成本。











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    光耦合器

    ON Semiconductor的光耦合器产品组合包括适用于各种应用的最佳解决方案,为客户提供满足其设计要求的灵活性。











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