Broadcom AFBR-S4N44P163 4x4 NUV-HD硅光电倍增器(SiPM)是专为单光子的超灵敏精确计数而设计的。这种光电二极管具有很高的单片封装密度，这是通过硅通(TSV)技术实现的。AFBR-S4N44P163 4x4光电二极管具有良好的增益均匀性和击穿电压均匀性(180mV (3 sigma))。这种光电二极管具有高度透明的玻璃保护层。AFBR-S4N44P163 4x4光电二极管工作在-20°C到50°C的温度范围。应用包括x射线和伽马射线检测，核医学，正电子发射断层摄影术，流式细胞术和天体物理学。

特性

• 高PDE超过55%在420nm

• 高填充因子

• 出色的SPTR和CRT

• 击穿电压均匀性好180mV (3 sigma)

• 良好的增益均匀性

• 采用TSV技术(4面贴片阵列)

• 15.9 x15.9毫米(2)尺寸

• 30×30μm(2)细胞间距

• 高度透明的玻璃保护层

• 工作温度范围:-20℃~ 50℃

• 符合RoHS和REACH要求

应用程序

• x射线和伽马射线探测

• 伽马能谱

• 安全与安全

• 核医学

• 正电子发射断层扫描

• 生命科学

• 流式细胞术

• 荧光发光测量

• 时间相关单光子计数

• 高能物理

• 天体物理学

单个SiPM元素的框图

典型的偏微分方程与波长