OHMITE ALN厚膜大功率芯片电阻采用厚膜元件，性能稳定，电阻温度系数(TCR)可降至150PPM。欧姆氮化铝电阻包括氮化铝衬底，其额定功率超过相同芯片尺寸的普通部件。该系列在+70°C下提供3.5W的额定功率，如果衬底可以保持在+155°C以下，则最大功率为22W。封装端子对芯片提供了很大的焊接附着力。ALN的工业标准尺寸为2512。

特性

• 厚膜元件性能稳定，TCR值可降至150PPM

• 在相同芯片尺寸下，功率等级超过普通部件的氮化铝衬底

• 在+70°C时额定功率为3.5W，如果基片可以保持在+155°C以下，则最大功率为22W

• 200V最大工作电压

• 封装端子对芯片有很大的焊接附着力

• 可用为2512的行业标准尺寸

• 工作温度范围:-55℃~ +155℃

应用程序

• 工业

• 电信

维