摘要: UltraCMOS 功率限制器提供了一个独立的,pin -二极管限制器的单片替代方案。他们提供了一个没有外部偏置元件的临时解决方案,从而降低了设计的复杂性。PE45140、PE45361、PE45450功率限制器有两种工作模式;功率限制和功...
UltraCMOS功率限制器提供了一个独立的,pin -二极管限制器的单片替代方案。他们提供了一个没有外部偏置元件的临时解决方案,从而降低了设计的复杂性。PE45140、PE45361、PE45450功率限制器有两种工作模式;功率限制和功率反射。这些器件具有高线性性能,快速响应和恢复时间,以及卓越的ESD保护。与传统的PIN-diode解决方案不同,这些器件通过低电流控制电压(V(CTRL))实现可调输入1dB压缩点或限制阈值,消除了外部偏置元件的需要,如直流阻塞电容、射频扼流环电感和偏置电阻。
PE45140, PE45361和PE45450功率限制器是使用Peregrine的UltraCMOS工艺制造的,这是一种专利的、绝缘体上硅(SOI)技术的先进形式,提供了砷化镓(GaAs)的性能与传统的经济和集成
互补金属氧化物半导体。
频率范围
PE45140: 20MHz ~ 2GHz
PE45361: 10MHz ~ 6GHz
PE45450: 9kHz至6GHz
低功率限制阈值可调
PE45140: +22dBm到+32dBm
PE45361: +7dBm到+13dBm
PE45450: +25dBm到+35dBm
无偏功率限制操作
快速≤1ns响应和恢复时间
双模式操作
权力限制模式
功率反射模式
紧凑的3mm x 3mm QFN12包
无线基础设施收发器和天线
测试和测量
UltraCMOS功率限制器模式和应用
PE45140, UltraCMOS功率限制器,50W, 20MHz至2GHz
PE45361, UltraCMOS功率限制器,100W, 10MHz至6GHz
体育45450, UltraCMOS功率限制器,50W, 9kHz至6GHz
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