Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器，目标光通信系统(ROSA/TOSA, SONET，和所有光电子)以及高速数据系统或产品。这些电容器是专为直流阻塞，耦合和旁路接地应用。硅电容器提供低插入损耗，低反射和高相位稳定性从16kHz, UBSC高达67GHz, BBSC高达40GHz, ULSC高达20GHz。这些深沟槽硅电容器已经开发了半导体MOS工艺，允许高可靠性和电容稳定性过电压(0.1%/V)和温度(60ppm/K)。

该组件的工作温度范围从-55°C到+150°C。高温固化过程(超过900°C)产生的纯氧化物提供可靠和可重复的性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合标准的JEDEC组装规则，使产品完全兼容高速自动取放制造操作。这些电容器是rohs兼容的，可与ENIG终端或无铅预碰撞取决于外壳大小。

特性

• 超宽带性能可达110GHz

• 无共振允许超低群延迟变化

• 传输模式下阻抗匹配的超低插入损耗

• 旁路接地时ESL低，ESR低

• 电容值对温度、电压、老化稳定性好

• 高可靠性

• 与无铅回流焊兼容

规范

• 1nF到100nF电容范围

• ±15%电容公差

• 温度范围

• -55°C到+150°C工作

• -70°C至+165°C存储

• + 60 ppm / K温度系数

• 击穿电压11V(DC)或30V(DC)

• < 0.001% / 1000小时老化

• 400µm或100µm高度

应用程序

• 光电/高速数据

• Trans-impedance放大器(TIA)

• 收发光学组件(ROSA/TOSA)

• 同步光网络(SONET)

• 高速数字逻辑

• 宽带测试设备

• 宽带微波/毫米波

• 更换X7R和NP0电容器

• 低调的应用程序