Murata UWSC超大频带可线结硅电容器，适用于光通信系统(ROSA/TOSA, SONET和所有光电子)以及高速数据系统或产品。UWSC组件设计用于直流去耦和旁路应用，因为电容在高于26GHz的频率下提供高抑制。UWSC电容器采用深沟槽和MOS半导体工艺制造，以满足低电容和高电容的要求。

UWSC硅电容器在温度(+60ppm/K)和电压下提供非常高的可靠性和电容稳定性。它们的工作温度范围从-55°C到+150°C。高温固化(超过+900°C)产生纯氧化物，提供可靠性和可重复的性能。这些电容器兼容标准线键合组件(球和楔)，符合rohs，并可提供厚金终端。

特性

• 超大频带性能高于26GHz

• 无谐振和相位稳定

• 电容值对温度、电压、老化稳定性好

• 超低ESR和ESL，高可靠性

• 与标准线材连接组件(球和楔板)兼容

规范

• 电容范围47pF到22nF

• ±15%电容公差

• 温度范围

• -55°C到+150°C工作

• -70°C至+165°C存储

• + 60 ppm / K温度系数

• 击穿电压11V、30V、50V、100V、150V、450V

• < 0.001% / 1000小时老化

• 250µm或100µm高度

应用程序

• 光电/高速数据

• Trans-impedance放大器(TIA)

• 收发光学组件(ROSA/TOSA)

• 同步光网络(SONET)

• 高速数字逻辑

• 宽带测试设备

• 宽带微波/毫米波

• 更换X7R和NP0电容器

• 低调的应用程序