村田Murata ATSC汽车高温硅电容器的目标是汽车市场中暴露在恶劣条件下的发动机罩下电子设备和传感器。深沟槽MOS电容器结合了独特的镶嵌结构和分布式沟槽电容器，具有前所未有的电性能水平。根据AEC-Q100的条件，在生产过程中，氧化物在+900℃下固化，其纯度可达200℃，并延长使用寿命。

Sicap技术具有高可靠性(比替代电容技术好10倍)，同时具有高稳定性和低轮廓。与标准SMD解决方案相比，ATSC电容器提供了增强的解耦性能，并完全兼容系统封装组件和引线框架。

特性

• AEC-Q100合格

• 在+200°C下的超长寿命

• 电容值对温度、电压、老化稳定性好

• 负载转储

• 8千伏HBM ESD

• 适用于高温引线框安装

规范

• 390 pfµ1 F电容范围

• ±15%电容公差

• 250µm厚度

• 16 v (DC)额定电压

• 温度范围

• -55°C到+200°C工作

• -70°C到+215°C存储

• 击穿电压30 v (DC)

应用程序

• 的条件下传感器

• 200°C的传感器

• 点火传感器

• 机油压力传感器

• 温度传感器

• 汽车管理传感器

• 涡轮增压传感器

• 霍尔效应传感器