Murata WBSC可导线接合的垂直硅电容器是理想的直流去耦，并专门用于可靠性高达150°C的应用程序是主要参数。这些Si电容器已经开发了半导体工艺，使从1.55nF/mm²到250nF/mm²的高电容密度集成(击穿电压分别为450V到11V)。在生产过程中，高可靠性的电容器在高温下固化(900℃以上)，产生高纯度的氧化物。该技术提供了行业领先的性能相对电容稳定性高达150°C，温度系数等于+60ppm/K。此外，硅的固有特性表现为低介电吸收和低到零的压电效应，从而没有记忆效应。Murata WBSC可线焊垂直硅电容器也符合ROHS标准。

特性

• 250µm低调

• 低漏电流

• 高稳定性(温度、电压)

• 由于老化造成的电容损耗可以忽略不计

• 与标准的线连接组件(球和楔板)兼容

规范

• 100pF到22nF电容范围

• ±15%电容公差

• -55°C到+150°C的温度范围

• + 60 ppm / K温度系数

• 击穿电压:11V、30V、50V、100V、150V、450V

• < 0.001% / 1000小时老化

• 250µm厚度

应用程序

• 任何苛刻的应用，如雷达，激光雷达，航空航天，无线基础设施通信，数据广播，汽车

• 由于衬垫的平整度，适用于标准的线材粘接方式(球和楔)

• 解耦，直流噪声和放大器;谐波滤波，匹配网络(例如:GaN功率放大器，LDMOS)

• 高可靠性的应用程序

• 裁员

• 低调的应用程序(250µm)