日本村田公司WLSC Wire-Bondable垂直低调(100µm厚)硅电容目标射频大功率应用无线通信(例如:5 g),雷达和数据广播系统。WLSC电容器适用于直流解耦、匹配网络和谐波/噪声滤波功能。这些硅电容器已经开发与半导体工艺，使集成高电容密度从1.55nF/mm (2)到250 nf /毫米 (击穿电压分别为450V ~ 11V)。

在生产过程中，将WLSC电容器在高温(+900℃以上)下固化，生成高纯度的氧化物。这项技术提供了行业领先的性能，特别是在电容器的稳定性在全工作直流电压和温度范围。此外，硅的固有特性表现为低介电吸收和低到零的压电效应，从而没有记忆效应。Murata WLSC可线焊低轮廓硅电容器也符合ROHS标准。

特性

• 100µm超低配置文件

• 低漏电流

• 高稳定性(温度、电压)

• 由于老化造成的电容损耗可以忽略不计

• 与标准线材连接组件(球和楔板)兼容

规范

• 电容范围47pF到22nF

• ±15%电容公差

• 温度范围

• -55°C到+150°C工作

• -70°C至+165°C存储

• + 60 ppm / K温度系数

• 击穿电压11V、30V、50V、100V、150V、450V

• < 0.001% / 1000小时老化

• 100µm厚度

应用程序

• 任何要求很高的应用，如雷达，无线基础设施通信，数据广播

• 标准的线材粘接方式(顶部和底部镀金)，因为衬垫的平整度

• 解耦，直流噪声和放大器;谐波滤波，匹配网络(例如:GaN功率放大器，LDMOS)

• 高可靠性的应用程序

• 裁员,低调的应用程序(100µm)

• 完全兼容单层陶瓷电容器和金属氧化物半导体