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摘要： 爱普科斯/ TDK缓冲器伤口薄膜电容器AEC-Q200D兼容,并提供一个0.1µ3.3µF电容范围,800 v (交流)额定电压，并高达10%的公差。这些电容器具有高脉冲强度，高接触可靠性，低电感，带端子，镀锡铜或黄铜。缓冲绕线薄膜电容器采...
爱普科斯/ TDK缓冲器伤口薄膜电容器AEC-Q200D兼容,并提供一个0.1µ3.3µF电容范围,800 v (交流)额定电压，并高达10%的公差。这些电容器具有高脉冲强度，高接触可靠性，低电感，带端子，镀锡铜或黄铜。缓冲绕线薄膜电容器采用UL94V-0额定塑料外壳，并提供内部串联绕线电容器技术。EPCOS / TDK缓冲缠绕膜电容器是IGBT和缓冲应用的理想选择。
IGBT
缓冲
高脉冲强度，高接触可靠性
低电感
RoHS兼容
AEC-Q200D兼容
UL94V-0塑料盒
UL94V-0环氧树脂密封
内部串联缠绕电容器技术
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