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被动元件 WURTH ELEKTRONIK 电容器

Wurth Elektronik H-Chip铝聚合物电容器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-09-26

摘要： Wurth Elektronik h铝高分子电容器电容公差提供±20%,15 - 560µF范围,根据模型。h -芯片电容器在+105°C时额定耐压2000h，并具有高纹波电流能力。这些电容器有一个3到40毫欧范围内40到200uA泄漏电流...

Wurth Elektronik h铝高分子电容器电容公差提供±20%,15 - 560µF范围,根据模型。h -芯片电容器在+105°C时额定耐压2000h，并具有高纹波电流能力。这些电容器有一个3到40毫欧范围内40到200uA泄漏电流。Wurth Elektronik H-Chip铝聚合物电容器是噪声抑制、USB充电器、智能电表和电源应用的理想选择。

规范

建议焊接:回流
15µ560µF电容范围,根据模型
±20%电容公差额定值

2000小时+105°C的耐久等级
高纹波电流能力
低调

应用程序

噪声抑制
DC/DC变换器的输入和输出电容

USB充电器
智能电表
权力的银行

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